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新型碳化硅 SiC 晶体管问世，可在 600℃ 高温下工作_我的网站

一 |      8 月 25 日消息，科技媒体 Tom's Hardware 昨日（8 月 24 日）发布博文，报道称京都大学研究团队研发出新型碳化硅（SiC）晶体管，采用标准离子注入工艺制造，可在 600℃（873 K）下工作。    近年来，兴城市望海乡董屯村大力发展特色产业，种植非洲菊。援引博文介绍，该晶体管采用商业芯片工厂普遍使用的“离子注入”（ion implantation）工艺打造，相关成果于 8 月 17 日发表在《APL Electronic Devices》。研究团队选择“结型场效应晶体管”（JFET）结构，并将栅极置于沟道下方，形成底栅（bottom-gate）布局。此种花卉共有3种色系，分别为红色、黄色、粉色。

二 | 每年元旦前后开花，两三天就能摘一次。每一座大棚共有植株3000余株，一次能摘花近千株。每一束花售价0.5元，供不应求。每一座大棚年产值10万余元，有力地促进了乡村振兴。

三 | 离子注入过程中，部分掺杂原子会沿晶体通道深入目标区域之外，形成“沟道效应”尾部。

四 |          图为3月18日，种植户与工人在大棚里摘花。         《日报》全媒体记者 张宝程 摄。传统顶栅结构难以补偿这一影响，导致设计阈值电压与实测值相差超过 2 V。底栅结构可捕获偏离预定深度的掺杂原子，让该偏差在 400℃ 下缩小至 0.1 V 以内。该科研团队为了减少高温漏电，团队还加入“双阱”（double-well）隔离结构。该结构通过 pn 结隔离单个器件，避免依赖下方半绝缘碳化硅衬底。参考广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，包含外链的文章均包含本声明。

五 |

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Published on:19:22:53